MMDT5401
华轩阳
SOT-363
¥0.09579
1,280
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP+PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):150V,耗散功率(Pd):200mW
厂家型号
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MMDT5401
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-363

21000+:¥0.0958

9000+:¥0.1026

3000+:¥0.1152

600+:¥0.1373

200+:¥0.1615

20+:¥0.2053

1280

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MMDT5401
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-363

9000+:¥0.093

6000+:¥0.0955

3000+:¥0.0971

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP+PNP
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 150V
耗散功率(Pd) 200mW