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NSVBC857CWT1G
onsemi(安森美)
SOT-323-3
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NSVBC857CWT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-323-3
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300+:￥0.2278 100+:￥0.2311 10+:￥0.2359 |
50 |
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立即发货
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立创商城
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NSVBC857CWT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-323
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775+:￥0.322 465+:￥0.354 155+:￥0.396 |
1458 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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NSVBC857CWT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-323-3
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150+:￥0.7056 50+:￥0.8467 5+:￥1.2701 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 150 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |