TPS3808G33DRVR
TI(德州仪器)
WDFN-6-EP(2x2)
¥5.37
96
监控和复位芯片
类型:简单复位/加电复位,受监控电压数:1,电压 - 阈值:3.07V,输出:开路漏极或开路集电极,复位:低有效
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TPS3808G33DRVR
TI(德州仪器)
WDFN-6-EP(2x2)

30+:¥5.37

10+:¥6.04

1+:¥7.26

96

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TPS3808G33DRVR
TEXAS INSTRUMENTS
SON

1000+:¥4.8462

300+:¥4.9915

100+:¥5.1902

30+:¥5.7669

10+:¥6.93

1+:¥7.7539

2390

20+
1-3工作日
TPS3808G33DRVR
Texas Instruments
SON

3000+:¥6.4848

2000+:¥6.6585

1000+:¥6.8322

31225

-
10-12工作日
TPS3808G33DRVR
TI(德州仪器)
6-WDFN

100+:¥4.95

30+:¥5.175

10+:¥5.4

1+:¥6.3

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19+/20+
TPS3808G33DRVR
德州仪器(TI)
WDFN-6-EP(2x2)

1000+:¥6.1673

250+:¥7.4008

100+:¥9.251

1+:¥11.1011

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
类型 简单复位/加电复位
受监控电压数 1
电压 - 阈值 3.07V
输出 开路漏极或开路集电极
复位 低有效
复位超时 可调节/可选择
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:Germany;Japan
晶圆地(城市)(CSO) TI:Freising, DE;Miho, JP
封装地(国家/地区)(ACO) TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:4