MMBT8099LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.23504
1,742
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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MMBT8099LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.23504

1+:¥0.2652

1327

24+
1-2工作日发货
MMBT8099LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

150+:¥0.3444

50+:¥0.3969

5+:¥0.5018

410

-
立即发货
MMBT8099LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2486

1500+:¥0.2805

200+:¥0.3234

1+:¥0.5005

2435

24+
2-4工作日
MMBT8099LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

1000+:¥0.245

100+:¥0.2646

1+:¥0.2833

5

2314
现货最快4H发
MMBT8099LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23-3

100+:¥0.4018

1+:¥0.7232

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 1mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3