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MT53E256M32D2DS-053 WT:B
micron(镁光)
VFBGA-200
¥85
2,210
DDRSDRAM
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - Mobile LPDDR4,存储容量:8Gb,存储器组织:256M x 32
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Micron(镁光)
--

1000+:¥85.0

100+:¥92.0

1100

22
现货
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Micron(镁光)
--

1+:¥136.5

1100

2106
现货
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Micron Technology Inc
BGA

4000+:¥47.2

2000+:¥48.8

10000

-
8-10工作日
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Micron Technology Inc
BGA

100+:¥71.9281

10+:¥77.175

4000

23+
3-5工作日
MT53E256M32D2DS-053WT:B
Micron Technology Inc
BGA

100+:¥73.396

10+:¥78.75

3970

23+
3-5工作日
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
micron(镁光)
WFBGA-200

2000+:¥48.59

1+:¥49.81

0

-
立即发货
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
镁光(MICRON)
VFBGA-200

1000+:¥51.6572

100+:¥61.9886

10+:¥72.3201

1+:¥94.9201

0

-
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
micron(镁光)
VFBGA-200

30+:¥135.98

1+:¥135.98

10

20+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量 8Gb
存储器组织 256M x 32
时钟频率 1.866 GHz
电压 - 供电 1.1V
工作温度 -30°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 200-WFBGA