SBC847BPDXV6T1G
onsemi(安森美)
SOT-563
¥0.599
400
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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SBC847BPDXV6T1G
ON(安森美)
SOT-563

4000+:¥0.599

1+:¥0.645

102

23+
立即发货
SBC847BPDXV6T1G
安森美(onsemi)
SOT-563

40000+:¥0.6589

8000+:¥0.7114

4000+:¥0.7488

1000+:¥1.0483

300+:¥1.4976

10+:¥2.3213

102

-
SBC847BPDXV6T1G
ON(安森美)
SOT-563,SOT-666

100+:¥0.9372

50+:¥1.221

102

-
3天-15天
SBC847BPDXV6T1G
ON(安森美)
SOT-563

4000+:¥0.62296

1+:¥0.6708

94

23+
1-2工作日发货
SBC847BPDXV6T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-563

250+:¥0.5192

200+:¥0.531

150+:¥0.5428

100+:¥0.564

50+:¥0.5856

1+:¥0.6125

47397

22+
3-5工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 357mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666