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MMBT3906LT3G
onsemi(安森美)
SOT-23
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MMBT3906LT3G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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50000+:￥0.1182 10000+:￥0.1304 |
65600 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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MMBT3906LT3G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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1275+:￥0.1955 765+:￥0.2124 255+:￥0.24 |
71086 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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MMBT3906LT3G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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130000+:￥0.0698 |
0 |
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立即发货
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立创商城
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MMBT3906LT3G
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ON(安森美)
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SOT-23
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5000+:￥0.124 2000+:￥0.1273 500+:￥0.1329 300+:￥0.144 100+:￥0.155 1+:￥0.1661 |
0 |
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立即发货
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |