2SB1123S-TD-E
onsemi(安森美)
TO-243
¥1.352
1,999
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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ON(安森美)
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2SB1123S-TD-E
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 700mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 100mA,2V
功率 - 最大值 500 mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA