ZXTP2012ZQTA
DIODES(美台)
SOT-89
¥1.5906
19,175
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4.3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):215mV @ 500mA,5A,电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)
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渠道
ZXTP2012ZQTA
美台(DIODES)
SOT-89-4

10000+:¥1.5906

2000+:¥1.7171

1000+:¥1.8075

500+:¥2.5305

100+:¥3.615

10+:¥5.6033

14000

-
ZXTP2012ZQTA
DIODES(美台)
SOT89

1000+:¥1.7

1+:¥1.84

2105

23+
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ZXTP2012ZQTA
Diodes(达尔)
SOT-89

1000+:¥1.87

50+:¥2.024

20+:¥2.64

2105

-
3天-15天
ZXTP2012ZQTA
DIODES(美台)
SOT-89

500+:¥1.94

100+:¥2.11

30+:¥2.5

10+:¥2.81

1+:¥3.54

965

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 4.3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 215mV @ 500mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值) 20nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 2A,1V
功率 - 最大值 1.5 W
频率 - 跃迁 120MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA