MMDT5401Q-7-F
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.33
11,699
三极管(BJT)
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA,电压 - 集射极击穿(最大值):150V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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MMDT5401Q-7-F
DIODES(美台)
SOT363

3000+:¥0.33

1+:¥0.353

2925

22+
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MMDT5401Q-7-F
Diodes(美台)
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3000+:¥0.3432

1+:¥0.36712

2924

22+
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美台(DIODES)
SOT-363

30000+:¥0.363

6000+:¥0.3919

3000+:¥0.4125

800+:¥0.5775

200+:¥0.825

10+:¥1.2788

2925

-
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Diodes(达尔)
SOT-363

1500+:¥0.4589

200+:¥0.5057

90+:¥0.6193

2925

-
3天-15天
MMDT5401Q-7-F
Diodes(美台)
--

3000+:¥0.3432

1500+:¥0.36712

200+:¥0.40456

1+:¥0.58552

2925

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1-3工作日
MMDT5401Q-7-F
DIODES(美台)
SOT-363

3000+:¥0.3663

1500+:¥0.3918

200+:¥0.4318

1+:¥0.6249

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22+
2-4工作日
MMDT5401Q-7-F
DIODES(美台)
SOT-363

3000+:¥0.4066

284+:¥0.466

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 150V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 200mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363