MMDT2907VQ-7
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.4036
6,000
三极管(BJT)
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA,电压 - 集射极击穿(最大值):60V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA
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MMDT2907VQ-7
DIODES(美台)
SOT563

3000+:¥0.388

1+:¥0.415

3000

22+
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MMDT2907VQ-7
Diodes(达尔)

3000+:¥0.4036

1500+:¥0.4316

200+:¥0.4753

90+:¥0.5817

3000

-
3天-15天
MMDT2907VQ-7
美台(DIODES)
SOT-563

30000+:¥0.4268

6000+:¥0.4608

3000+:¥0.485

800+:¥0.679

200+:¥0.97

10+:¥1.5787

3000

-
MMDT2907VQ-7
DIODES(美台)
SOT-563

60000+:¥0.4274

45000+:¥0.4318

3000+:¥0.4351

1500+:¥0.4651

200+:¥0.5117

1+:¥0.7426

3000

22+
2-4工作日
MMDT2907VQ-7
DIODES(美台)
SOT-563

3000+:¥0.3824

302+:¥0.4382

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 60V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值 150mW
频率 - 跃迁 200MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666