DZTA42-13
DIODES(美台)
SOT-223-4
¥0.605
8,158
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):300 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DZTA42-13
DIODES(美台)
SOT223

2500+:¥0.55

1+:¥0.594

4500

25+
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DZTA42-13
美台(DIODES)
SOT-223-4

25000+:¥0.605

5000+:¥0.6531

2500+:¥0.6875

800+:¥0.9625

200+:¥1.375

10+:¥2.1313

4079

-
DZTA42-13
Diodes(达尔)
SOT-223-3

2500+:¥0.605

1250+:¥0.6534

100+:¥0.7711

50+:¥1.0021

4079

-
3天-15天
DZTA42-13
Diodes(美台)
SOT-223

2500+:¥0.572

1250+:¥0.61776

100+:¥0.72904

1+:¥0.94744

2000

--
1-3工作日
DZTA42-13
DIODES(美台)
SOT-223-4

10000+:¥0.6169

3000+:¥0.6281

500+:¥0.673

1+:¥0.729

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 300 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 40 @ 30mA,10V
功率 - 最大值 1 W
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA