DSS5220T-13
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.358
46,668
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):20 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 100mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DSS5220T-13
DIODES(美台)
SOT23

10000+:¥0.358

1+:¥0.391

11630

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DSS5220T-13
Diodes(美台)
SOT-23

10000+:¥0.37232

1+:¥0.40664

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2年内
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DSS5220T-13
美台(DIODES)
SOT-23

100000+:¥0.3938

20000+:¥0.4251

10000+:¥0.4475

1000+:¥0.6265

300+:¥0.895

10+:¥1.4566

11630

-
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Diodes(达尔)
SOT-23-3

10000+:¥0.4654

5000+:¥0.5083

2500+:¥0.5434

500+:¥0.5876

100+:¥0.6461

70+:¥0.7931

11630

-
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DSS5220T-13
DIODES(美台)
SOT-23

150+:¥0.6465

50+:¥0.6562

5+:¥0.6707

150

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 20 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 100mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 225 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 1.2 W
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3