DSS4160V-7
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.277
2,903
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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DIODES INCORPORATED

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 500mA,5V
功率 - 最大值 600 mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666