DMJT9435-13
DIODES(美台)
SOT-223-3
¥0.627
4,874
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):550mV @ 300mA,3A,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):125 @ 800mA,1V
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DMJT9435-13
DIODES(美台)
SOT223

2500+:¥0.57

1+:¥0.616

2455

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DMJT9435-13
美台(DIODES)
SOT-223

25000+:¥0.627

5000+:¥0.6769

2500+:¥0.7125

800+:¥0.9975

200+:¥1.425

10+:¥2.2088

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-
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Diodes(达尔)
SOT-223-3

1250+:¥0.6776

100+:¥0.7997

50+:¥1.0395

2437

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3天-15天
DMJT9435-13
Diodes(美台)
SOT-223

2500+:¥0.5928

1250+:¥0.64064

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1+:¥0.9828

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1-3工作日
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DIODES(美台)
SOT-223-3

17500+:¥0.6555

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 550mV @ 300mA,3A
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 125 @ 800mA,1V
功率 - 最大值 1.2 W
频率 - 跃迁 160MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA