DDTC114ELP-7
DIODES(美台)
DFN1006-3
¥0.20592
3,089
数字晶体管
晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
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DDTC114ELP-7
DIODES(美台)
X1-DFN1006-3

3000+:¥0.198

1+:¥0.224

829

21+
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DDTC114ELP-7
Diodes(美台)
DFN-3(1x0.6)

3000+:¥0.20592

1+:¥0.23296

821

21+
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DDTC114ELP-7
美台(DIODES)
DFN-3(1x0.6)

30000+:¥0.2178

6000+:¥0.2351

3000+:¥0.2475

800+:¥0.3465

100+:¥0.495

20+:¥0.8057

829

-
DDTC114ELP-7
DIODES(美台)
DFN1006-3

500+:¥0.3229

150+:¥0.3616

50+:¥0.4133

5+:¥0.5167

610

-
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DDTC114ELP-7
Diodes(达尔)
X1-DFN1006-3

200+:¥0.3341

100+:¥0.5174

829

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 50mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 10mA,70mA
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA
频率 - 跃迁 250 MHz
功率 - 最大值 250 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-UFDFN