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DDTB122TU-7-F
DIODES(美台)
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数字晶体管
集射极击穿电压(Vceo):40V,集电极电流(Ic):500mA,耗散功率(Pd):200mW,工作温度:-55℃~+150℃
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DDTB122TU-7-F
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.221

1+:¥0.25

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
集射极击穿电压(Vceo) 40V
集电极电流(Ic) 500mA
耗散功率(Pd) 200mW
工作温度 -55℃~+150℃