DDTA123YE-7-F
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.13936
12,269
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
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DDTA123YE-7-F
DIODES(美台)
SOT523

3000+:¥0.134

1+:¥0.151

4090

5年内
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DDTA123YE-7-F
Diodes(美台)
1.6 mm*0.8 mm*0.75 mm

3000+:¥0.13936

1+:¥0.15704

4089

5年内
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DDTA123YE-7-F
美台(DIODES)
SOT-523

30000+:¥0.1473

6000+:¥0.1591

3000+:¥0.1675

800+:¥0.2345

100+:¥0.335

20+:¥0.5192

4090

-
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Diodes(达尔)
SOT-523

3000+:¥0.201

1500+:¥0.2265

200+:¥0.261

150+:¥0.351

4090

-
3天-15天
DDTA123YE-7-F
Diodes(美台)
1.6 mm*0.8 mm*0.75 mm

3000+:¥0.14144

1500+:¥0.15912

200+:¥0.18304

1+:¥0.28288

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 33 @ 10mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 250 MHz
功率 - 最大值 150 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-523