DDTA123EE-7-F
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.125
11,197
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):2.2 kOhms
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DDTA123EE-7-F
DIODES(美台)
SOT523

3000+:¥0.125

1+:¥0.141

2800

22+
立即发货
DDTA123EE-7-F
Diodes(美台)
1.6 mm*0.8 mm*0.75 mm

3000+:¥0.13

1+:¥0.14664

2797

22+
1-2工作日发货
DDTA123EE-7-F
美台(DIODES)
SOT-523

30000+:¥0.1375

6000+:¥0.1485

3000+:¥0.1563

800+:¥0.2188

100+:¥0.3126

20+:¥0.4845

2800

-
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Diodes(达尔)
SOT-523

1500+:¥0.2115

210+:¥0.2445

2800

-
3天-15天
DDTA123EE-7-F
Diodes(美台)
1.6 mm*0.8 mm*0.75 mm

3000+:¥0.13

1500+:¥0.14664

200+:¥0.16952

1+:¥0.26208

2800

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 2.2 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 20 @ 20mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 250 MHz
功率 - 最大值 150 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-523