DDTA115GE-7-F
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.146
11,992
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 发射极 (R2):100 kOhms,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):82 @ 5mA,5V
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DDTA115GE-7-F
DIODES(美台)
SOT523

3000+:¥0.146

1+:¥0.165

3000

22+
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DDTA115GE-7-F
Diodes(美台)
SOT-523

3000+:¥0.15184

1+:¥0.1716

2992

22+
1-2工作日发货
DDTA115GE-7-F
美台(DIODES)
SOT-523

30000+:¥0.1606

6000+:¥0.1734

3000+:¥0.1825

800+:¥0.2555

100+:¥0.365

20+:¥0.5658

3000

-
DDTA115GE-7-F
Diodes(达尔)
SOT-523

3000+:¥0.1752

1500+:¥0.198

220+:¥0.228

3000

-
3天-15天
DDTA115GE-7-F
Diodes(美台)
1.6 mm*0.8 mm*0.75 mm

3000+:¥0.12313

1500+:¥0.13894

200+:¥0.16057

1+:¥0.24876

3000

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1-3工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 发射极 (R2) 100 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 82 @ 5mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁 250 MHz
功率 - 最大值 150 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-523