DDA114EH-7
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.31824
8,993
数字晶体管
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):10 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
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DDA114EH-7
DIODES(美台)
SOT563

3000+:¥0.31

1+:¥0.331

3000

22+
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DDA114EH-7
Diodes(美台)
SOT-563

3000+:¥0.31824

1+:¥0.34112

2993

22+
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DDA114EH-7
Diodes(达尔)
SOT-563

3000+:¥0.3183

1500+:¥0.3412

200+:¥0.3744

100+:¥0.544

3000

-
3天-15天
DDA114EH-7
美台(DIODES)
SOT-563

30000+:¥0.3366

6000+:¥0.3633

3000+:¥0.3825

800+:¥0.5355

200+:¥0.765

10+:¥1.1857

3000

-
DDA114EH-7
Diodes(美台)
SOT-563

3000+:¥0.25792

1500+:¥0.27539

200+:¥0.30368

1+:¥0.44012

3000

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 10 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 30 @ 5mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 500µA,10mA
频率 - 跃迁 250MHz
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666