BCP5610TA
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.416976
0
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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封装
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渠道
BCP5610TA
Diodes Incorporated
SOT-223-3

20000+:¥1.3225

1000+:¥1.334

500+:¥1.357

100+:¥1.403

4700

20+
3-5工作日
BCP5610TA
DIODES(美台)
SOT-223

26000+:¥0.417

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BCP5610TA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥0.477

1+:¥0.527

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA