BC857BLP-7B
DIODES(美台)
DFN1006-3
¥0.24
38,352
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC857BLP-7B
DIODES(美台)
X1-DFN1006-3

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DFN1006-3

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美台(DIODES)
X1-DFN1006-3

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10000+:¥0.3

1000+:¥0.42

100+:¥0.6

20+:¥0.93

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500+:¥0.3939

120+:¥0.4316

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DIODES(美台)
DFN1006-3

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50+:¥0.8053

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 250 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-UFDFN