BC857BLP4-7
DIODES(美台)
DFN-3(1x0.6)
¥0.205
24,017
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC857BLP4-7
DIODES(美台)
X2-DFN1006-3

3000+:¥0.205

1+:¥0.231

6000

23+
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BC857BLP4-7
Diodes(美台)
1 mm*0.6 mm*0.35 mm

3000+:¥0.2132

1+:¥0.24024

5997

23+
1-2工作日发货
BC857BLP4-7
美台(DIODES)
DFN-3(1x0.6)

30000+:¥0.2255

6000+:¥0.2435

3000+:¥0.2563

800+:¥0.3588

100+:¥0.5126

20+:¥0.7945

6000

-
BC857BLP4-7
Diodes(达尔)
X2-DFN1006-3

3000+:¥0.246

200+:¥0.2767

120+:¥0.4275

6000

-
3天-15天
BC857BLP4-7
DIODES(美台)
DFN-3(1x0.6)

150+:¥0.7538

50+:¥0.765

5+:¥0.782

20

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 250 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-XFDFN