2SA1943-O(Q)
TOSHIBA(东芝)
¥6
371
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电压 - 集射极击穿(最大值):230 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):3V @ 800mA,8A,电流 - 集电极截止(最大值):5µA(ICBO)
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
2SA1943-O(Q)
TOSHIBA(东芝)
TO-3P-3

1000+:¥6.0

1+:¥6.22

100

24+
立即发货
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
TO-3P(L)

100+:¥7.37

6+:¥8.701

100

-
3天-15天
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
TO-3PL

1000+:¥6.1776

1+:¥6.4064

93

24+
1-2工作日发货
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
TO-3P(L)

50+:¥14.1437

30+:¥15.0061

10+:¥19.299

5+:¥31.8903

74

-
3周-4周
2SA1943-O(Q)
Toshiba Semiconductor
TO-3P

2500+:¥5.4

1500+:¥5.6

1000+:¥5.9

500+:¥6.25

20000

-
5-7工作日
2SA1943-O(Q)
TOSHIBA
TO-3P

1000+:¥6.3043

300+:¥6.4935

100+:¥6.752

30+:¥7.5022

10+:¥9.0152

1+:¥10.087

479

25+
1工作日
2SA1943-O(Q)
Toshiba Semiconductor
TO-3P

4000+:¥6.944

2000+:¥7.068

1000+:¥7.192

1+:¥7.44

6000

-
3-5工作日
2SA1943-O(Q)
Toshiba Semiconductor
TO-3P

250+:¥7.182

150+:¥7.245

100+:¥7.371

50+:¥7.497

5000

23+
3-5工作日
2SA1943-O(Q)
Toshiba Semiconductor
TO-3P

500+:¥18.722

100+:¥20.591

4+:¥22.68

780

-
14-18工作日
2SA1943-O(Q)
Toshiba Semiconductor
TO-3P

500+:¥22.4806

100+:¥22.9411

183

-
10-15工作日
2SA1943-O(Q)
TOSHIBA
TO-3P(L)

1+:¥15.3723

4

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 15 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 230 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 3V @ 800mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值) 5µA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 1A,5V
功率 - 最大值 150 W
频率 - 跃迁 30MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3PL