BD139-16
ST(意法半导体)
SOT-32-3
¥0.593
10,274
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BD139-16
ST(意法半导体)
SOT-32-3

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ST(意法半导体)
SOT-32-3

2000+:¥0.61672

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BD139-16
意法半导体(ST)
SOT-32-3

20000+:¥0.6523

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2000+:¥0.7413

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2329

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SOT-32-3

2000+:¥0.6523

80+:¥0.7084

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BD139-16
ST(意法半导体)
SOT-32-3

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50+:¥1.2704

5+:¥1.5964

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BD139-16
ST(意法半导体)
7.8 mm*2.7 mm*10.8 mm

2000+:¥0.624

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1-3工作日
BD139-16
ST(意法半导体)
SOT-32-3

2000+:¥0.66

50+:¥0.7161

1+:¥0.9306

3045

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2-4工作日
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STMicroelectronics
SOT-32-3

1000+:¥0.715

500+:¥0.7328

100+:¥0.7506

30+:¥0.7806

10+:¥0.9148

1+:¥1.1259

4840

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1工作日
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498

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10-15工作日
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175+:¥1.587

105+:¥1.7464

35+:¥1.92

503

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14-18工作日
BD139-16
ST(意法半导体)
SOT-32-3

100+:¥0.615

30+:¥0.615

10+:¥0.615

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20+/21+
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STMICROELECTRONICS
SOT-32

1+:¥1.4994

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 40 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1.25 W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3