ZXT10P20DE6TA
DIODES(美台)
SOT-26
¥0.267
23,678
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):20 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 150mA,2.5A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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ZXT10P20DE6TA
DIODES(美台)
SOT26

3000+:¥0.267

1+:¥0.302

5895

22+
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ZXT10P20DE6TA
Diodes(美台)
SOT-26

3000+:¥0.27768

1+:¥0.31408

5893

22+
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ZXT10P20DE6TA
Diodes(达尔)
SOT-23-6

3000+:¥0.2777

1500+:¥0.3141

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90+:¥0.5596

5895

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3天-15天
ZXT10P20DE6TA
美台(DIODES)
SOT-26

30000+:¥0.2937

6000+:¥0.3171

3000+:¥0.3338

800+:¥0.4673

100+:¥0.6676

20+:¥1.0864

5895

-
ZXT10P20DE6TA
DIODES(美台)
SOT-26

150+:¥0.5087

50+:¥0.5156

5+:¥0.5259

50

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 20 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 350mV @ 150mA,2.5A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 300 @ 100mA,2V
功率 - 最大值 1.1 W
频率 - 跃迁 180MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6