ZXT10P12DE6TA
DIODES(美台)
SOT-26
¥1.3
11,847
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):12 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 50mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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ZXT10P12DE6TA
DIODES(美台)
SOT26

3000+:¥1.3

1+:¥1.37

2950

22+
立即发货
ZXT10P12DE6TA
Diodes(美台)
SOT-23-6

3000+:¥1.352

1+:¥1.4248

2947

22+
1-2工作日发货
ZXT10P12DE6TA
美台(DIODES)
SOT-26

30000+:¥1.43

6000+:¥1.5438

3000+:¥1.625

800+:¥2.275

200+:¥3.25

10+:¥5.2894

2950

-
ZXT10P12DE6TA
Diodes(达尔)
SOT-23-6

1500+:¥1.507

750+:¥1.595

100+:¥1.793

30+:¥2.233

2950

-
3天-15天
ZXT10P12DE6TA
DIODES(美台)
SOT-26

30+:¥2.1

10+:¥2.13

1+:¥2.18

50

-
立即发货
ZXT10P12DE6TA
Diodes(美台)
3 mm*1.75 mm*1.3 mm

3000+:¥1.352

1500+:¥1.4248

750+:¥1.508

100+:¥1.6952

1+:¥2.1112

2950

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 12 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 50mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 300 @ 100mA,2V
功率 - 最大值 1.1 W
频率 - 跃迁 110MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6