DXTN5820DFDB-7
DIODES(美台)
UDFN2020-3
¥0.825
5,910
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A,电压 - 集射极击穿(最大值):20 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):275mV @ 300mA,6A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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DXTN5820DFDB-7
DIODES(美台)
U-DFN2020-3

3000+:¥0.75

1+:¥0.808

2950

22+
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DXTN5820DFDB-7
美台(DIODES)
DFN-3(2x2)

30000+:¥0.825

6000+:¥0.8906

3000+:¥0.9375

800+:¥1.3125

100+:¥1.875

20+:¥3.0516

2950

-
DXTN5820DFDB-7
Diodes(达尔)

1500+:¥0.8888

750+:¥0.9779

100+:¥1.177

40+:¥1.529

2950

-
3天-15天
DXTN5820DFDB-7
DIODES(美台)
UDFN2020-3

30+:¥1.21

10+:¥1.23

1+:¥1.26

10

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 6 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 20 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 275mV @ 300mA,6A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 280 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 690 mW
频率 - 跃迁 80MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-UDFN 裸露焊盘