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DVRN6056-7-F
DIODES(美台)
SOT-26
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN + 齐纳二极管（隔离式），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，1V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DVRN6056-7-F
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DIODES(美台)
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SOT26
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3000+:￥0.683 1+:￥0.736 |
2950 |
22+
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圣禾堂
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Diodes(美台)
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SOT-26
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3000+:￥0.71032 1+:￥0.76544 |
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22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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美台(DIODES)
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SOT-26
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30000+:￥0.7513 6000+:￥0.8111 3000+:￥0.8538 800+:￥1.1953 200+:￥1.7076 10+:￥2.7791 |
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油柑网
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Diodes(达尔)
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1500+:￥0.8096 750+:￥0.8899 100+:￥1.0681 40+:￥1.397 |
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唯样商城
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DIODES(美台)
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SOT-26
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150+:￥0.908 50+:￥0.9228 5+:￥0.945 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN + 齐纳二极管（隔离式） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 750mV @ 50mA，500mA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |