DP0150BLP4-7
DIODES(美台)
X2-DFN1006-3
¥0.297
20,170
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DP0150BLP4-7
DIODES(美台)
X2-DFN1006-3

3000+:¥0.297

1+:¥0.336

4881

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DP0150BLP4-7
Diodes(美台)
X2-DFN1006-3

3000+:¥0.30888

1+:¥0.34944

4877

2年内
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DP0150BLP4-7
美台(DIODES)
DFN-3(1x0.6)

30000+:¥0.3267

6000+:¥0.3527

3000+:¥0.3713

800+:¥0.5198

200+:¥0.7426

10+:¥1.2086

4881

-
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Diodes(达尔)
X2-DFN1006-3

3000+:¥0.3861

1500+:¥0.4368

200+:¥0.5018

80+:¥0.6589

4881

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DP0150BLP4-7
DIODES(美台)
X2-DFN1006-3

500+:¥0.3994

150+:¥0.4062

50+:¥0.4129

5+:¥0.423

650

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值 450 mW
频率 - 跃迁 80MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-XFDFN