DDTD113ZU-7-F
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.201
17,460
数字晶体管
晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
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DDTD113ZU-7-F
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.201

1+:¥0.227

4366

2年内
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Diodes(美台)
SOT-323

3000+:¥0.20904

1+:¥0.23608

4362

2年内
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美台(DIODES)
SOT-323

30000+:¥0.2211

6000+:¥0.2387

3000+:¥0.2513

800+:¥0.3518

100+:¥0.5026

20+:¥0.8181

4366

-
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Diodes(达尔)
SOT-323

3000+:¥0.2613

1500+:¥0.2951

200+:¥0.3393

100+:¥0.5278

4366

-
3天-15天
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Diodes(美台)
SOT-323

3000+:¥0.21112

1500+:¥0.23816

200+:¥0.27456

1+:¥0.4264

4366

--
1-3工作日
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DIODES(美台)
SOT-323

60000+:¥0.2209

45000+:¥0.2231

3000+:¥0.2253

1500+:¥0.2542

200+:¥0.293

1+:¥0.4551

4366

23+
2-4工作日
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3000+:¥0.2265

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 56 @ 50mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 200 MHz
功率 - 最大值 200 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323