DDTA115GUA-7-F
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.142
23,547
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 发射极 (R2):100 kOhms,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):82 @ 5mA,5V
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DDTA115GUA-7-F
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.142

1+:¥0.162

5850

23+
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DDTA115GUA-7-F
Diodes(美台)
2.2 mm*1.35 mm*1 mm

3000+:¥0.14768

1+:¥0.16848

5847

23+
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DDTA115GUA-7-F
美台(DIODES)
SOT-323

30000+:¥0.1562

6000+:¥0.1686

3000+:¥0.1775

800+:¥0.2485

100+:¥0.355

20+:¥0.5503

5850

-
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Diodes(达尔)
SOT-323

3000+:¥0.1704

1500+:¥0.1944

230+:¥0.222

5850

-
3天-15天
DDTA115GUA-7-F
DIODES(美台)
SOT-323

150+:¥0.3107

50+:¥0.3592

5+:¥0.4562

150

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 发射极 (R2) 100 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 82 @ 5mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁 250 MHz
功率 - 最大值 200 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323