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DCX114EH-7
DIODES(美台)
SOT-563
数字晶体管
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：10 千欧
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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DCX114EH-7
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DIODES(美台)
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SOT563
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3000+:￥0.33 1+:￥0.353 |
2950 |
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圣禾堂
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DCX114EH-7
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Diodes(美台)
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3000+:￥0.3432 1+:￥0.36712 |
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硬之城
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美台(DIODES)
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SOT-563
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30000+:￥0.363 6000+:￥0.3919 3000+:￥0.4125 800+:￥0.5775 200+:￥0.825 10+:￥1.3427 |
2950 |
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油柑网
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Diodes(达尔)
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1500+:￥0.4589 200+:￥0.5057 90+:￥0.6193 |
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DIODES(美台)
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SOT-563
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150+:￥0.5641 50+:￥0.5719 5+:￥0.5836 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |