BC847BFZ-7B
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.622
74,007
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA
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BC847BFZ-7B
DIODES(美台)
X2DFN06063

10000+:¥0.622

1+:¥0.664

18490

5年内
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BC847BFZ-7B
Diodes(美台)
SOT-23

10000+:¥0.64688

1+:¥0.69056

18487

5年内
1-2工作日发货
BC847BFZ-7B
美台(DIODES)
DFN-3(0.6x0.6)

100000+:¥0.6841

20000+:¥0.7386

10000+:¥0.7775

1000+:¥1.0885

300+:¥1.555

10+:¥2.5308

18490

-
BC847BFZ-7B
Diodes(达尔)
X2-DFN0606-3

10000+:¥0.6842

5000+:¥0.7304

2500+:¥0.7678

500+:¥0.8294

100+:¥0.9119

50+:¥1.144

18490

-
3天-15天
BC847BFZ-7B
DIODES(美台)
SOT-23

150+:¥0.9103

50+:¥0.924

5+:¥0.9444

50

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 435 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-XFDFN