2DB1386R-13
DIODES(美台)
SOT-89
¥0.44824
9,103
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):20 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100mA,4A,电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
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2DB1386R-13
DIODES(美台)
SOT89

2500+:¥0.431

1+:¥0.469

3035

5年内
立即发货
2DB1386R-13
Diodes(美台)
SOT-89

2500+:¥0.44824

1+:¥0.48776

3028

5年内
1-2工作日发货
2DB1386R-13
Diodes(达尔)
SOT-89

2500+:¥0.4483

1250+:¥0.4878

100+:¥0.5367

80+:¥0.6812

3035

-
3天-15天
2DB1386R-13
美台(DIODES)
SOT-89

25000+:¥0.4741

5000+:¥0.5119

2500+:¥0.5388

800+:¥0.7543

200+:¥1.0776

10+:¥1.7538

3035

-
2DB1386R-13
Diodes(美台)
4.5 mm*2.48 mm*1.5 mm

2500+:¥0.36192

1250+:¥0.39353

100+:¥0.43347

1+:¥0.65062

3035

--
1-3工作日
2DB1386R-13
DIODES(美台)
SOT-89

150+:¥0.7897

50+:¥0.8006

5+:¥0.817

5

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 5 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 20 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 100mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 180 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 1 W
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA