2SD882
ST(意法半导体)
TO-126
¥2.24
985
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.1V @ 150mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):100µA
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ST(意法半导体)
TO-126

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100+:¥2.5

50+:¥2.92

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ST(意法半导体)
TO-126

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ST(意法半导体)

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STMicroelectronics
SOT-32

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ST(意法半导体)
SOT-32(TO-126)

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.1V @ 150mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 100µA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 100mA,2V
功率 - 最大值 12.5 W
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-225AA,TO-126-3