ZXTP19100CGTA
DIODES(美台)
SOT-223
¥2.2464
6,483
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):295mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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ZXTP19100CGTA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥2.18

1+:¥2.28

1877

24+
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Diodes(美台)
SOT-223

1000+:¥2.2464

1+:¥2.3504

1875

24+
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ZXTP19100CGTA
美台(DIODES)
SOT-223

10000+:¥2.376

2000+:¥2.565

1000+:¥2.7

500+:¥3.78

100+:¥5.4

20+:¥8.7885

1877

-
ZXTP19100CGTA
Diodes(达尔)
SOT-223-3

1000+:¥2.376

100+:¥2.486

20+:¥3.113

1877

-
3天-15天
ZXTP19100CGTA
DIODES INCORPORATED

1+:¥2.4449

854

2045
现货最快4H发
ZXTP19100CGTA
Diodes(美台)
--

1000+:¥2.2672

100+:¥2.3712

1+:¥2.964

1983

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1-3工作日
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DIODES(美台)
SOT-223

600+:¥2.2971

250+:¥2.4658

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DIODES(美台)
SOT-223

2000+:¥2.5903

1000+:¥2.6597

500+:¥2.7754

100+:¥3.0067

30+:¥3.1223

1+:¥3.2379

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 295mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 100mA,2V
功率 - 最大值 3 W
频率 - 跃迁 142MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA