SBC807-25LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3
¥0.2294
10
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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SBC807-25LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3,TO-236

1000+:¥0.3139

2045

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6-8工作日
SBC807-25LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

1000+:¥0.2294

100+:¥0.2401

1+:¥0.2499

10

2114
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SBC807-25LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3

60000+:¥0.2428

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SBC807-25LT1G
ON(安森美)
SOT-23

1000+:¥0.266

500+:¥0.2776

100+:¥0.3007

30+:¥0.3238

1+:¥0.3354

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SBC807-25LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.283

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 700mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 160 @ 100mA,1V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3