MUN5111T1G
onsemi(安森美)
SC-70(SOT-323)
¥0.15288
145
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
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MUN5111T1G
ON(安森美)
SC-70-3(SOT323)

3000+:¥0.147

1+:¥0.166

70

22+
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MUN5111T1G
ON(安森美)
SC-70(SC-70-3)

3000+:¥0.15288

1+:¥0.17264

65

22+
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MUN5111T1G
安森美(onsemi)
SC-70-3

30000+:¥0.1617

6000+:¥0.1746

3000+:¥0.1838

800+:¥0.2573

100+:¥0.3676

20+:¥0.5983

70

-
MUN5111T1G
ON(安森美)
SC-70(SC-70-3)

3000+:¥0.15288

1500+:¥0.17264

200+:¥0.19864

1+:¥0.30784

70

--
1-3工作日
MUN5111T1G
ON(安森美)
SC-70,SOT-323

130+:¥0.3848

158

-
3天-15天
MUN5111T1G
onsemi(安森美)
SC-70(SOT-323)

300+:¥0.1563

100+:¥0.1586

10+:¥0.1621

10

-
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MUN5111T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-70

1000+:¥0.1862

100+:¥0.2039

1+:¥0.2254

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现货最快4H发
MUN5111T1G
ON(安森美)
SOT-323

5000+:¥0.56

2000+:¥0.575

500+:¥0.6

300+:¥0.65

100+:¥0.7

1+:¥0.75

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 35 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 202 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323