BC858B
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.033
31,695
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
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BC858B
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

51000+:¥0.033

24000+:¥0.0356

6000+:¥0.0403

3000+:¥0.0457

500+:¥0.0535

50+:¥0.0697

28750

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BC858B
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.03432

1+:¥0.04326

2945

25+
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic) 100mA
集射极击穿电压(Vceo) 30V
耗散功率(Pd) 200mW