2SD1164 DAR
MSKSEMI(美森科)
SOT-89
¥0.14484
900
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):32V,耗散功率(Pd):500mW
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2SD1164 DAR
MSKSEMI(美森科)
SOT-89

10000+:¥0.1448

5000+:¥0.1538

1000+:¥0.1714

300+:¥0.1936

100+:¥0.2232

10+:¥0.2824

900

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2SD1164 DAR
MSKSEMI(美森科)
SOT-89

1000+:¥0.1791

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 1A
集射极击穿电压(Vceo) 32V
耗散功率(Pd) 500mW