咨询/建议
TL062CN
HGSEMI(华冠)
DIP-8
FET输入运放
增益带宽积(GBP)：2MHz，输入偏置电流(Ib)：5pA，输入失调电压(Vos)：3mV，共模抑制比(CMRR)：84dB
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
TL062CN
|
HGSEMI(华冠)
|
DIP-8
|
5000+:￥0.5318 2500+:￥0.5678 500+:￥0.6278 150+:￥0.7625 50+:￥0.8705 5+:￥1.0925 |
545 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
TL062CN
|
HGSEMi/广东华冠半导体
|
DIP-8
|
250+:￥0.6095 150+:￥0.6254 50+:￥0.636 |
10000 |
24+
|
4-5工作日
|
云汉芯城
|
|
TL062CN
|
HGSEMi/广东华冠半导体
|
DIP-8
|
20000+:￥0.6555 10000+:￥0.6726 2000+:￥0.684 |
20000 |
22+
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 增益带宽积(GBP) | 2MHz |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV |
| 共模抑制比(CMRR) | 84dB |