MMDT5551
MSKSEMI(美森科)
SOT-363
¥0.078755
2,260
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):200mW
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MMDT5551
MSKSEMI(美森科)
SOT-363

21000+:¥0.0788

9000+:¥0.0843

3000+:¥0.0947

600+:¥0.1067

200+:¥0.1266

20+:¥0.1625

2260

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MMDT5551
MSKSEMI/台湾美森科
SOT-363

15000+:¥0.0729

3000+:¥0.0743

3000

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MMDT5551
MSKSEMI(美森科)
SOT-363

3000+:¥0.0798

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 160V
耗散功率(Pd) 200mW