BCP5316TC
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.34528
11,839
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V
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BCP5316TC
DIODES(美台)
SOT223

4000+:¥0.332

1+:¥0.355

3896

22+
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BCP5316TC
Diodes(美台)
SOT-223-3

4000+:¥0.34528

1+:¥0.3692

3889

22+
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BCP5316TC
美台(DIODES)
SOT-223

40000+:¥0.3652

8000+:¥0.3943

4000+:¥0.415

1000+:¥0.581

300+:¥0.83

10+:¥1.3508

3895

-
BCP5316TC
DIODES(美台)
SOT-223

150+:¥0.4397

50+:¥0.5049

5+:¥0.6354

160

-
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BCP5316TC
Diodes(达尔)
SOT-223

2000+:¥0.4615

200+:¥0.507

90+:¥0.6226

3895

-
3天-15天

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA