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RN1106MFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SOT-723
数字晶体管
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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RN1106MFV,L3F
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-723
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1000+:￥0.2369 300+:￥0.2693 100+:￥0.3125 10+:￥0.3989 |
1220 |
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立即发货
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立创商城
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RN1106MFV,L3F
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TOSHIBA(东芝)
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VESM
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8000+:￥0.0768 1+:￥0.0938 |
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圣禾堂
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RN1106MFV,L3F
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东芝(TOSHIBA)
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SOT-723
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150+:￥0.6898 50+:￥0.8278 5+:￥1.2416 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 150 mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |