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MT53E256M16D1FW-046 WT:B
micron(镁光)
200-TFBGA
DDRSDRAM
存储器类型：易失，存储器格式：DRAM，技术：SDRAM - 移动 LPDDR4X，存储容量：4Gb，存储器组织：256M x 16
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MT53E256M16D1FW-046 WT:B
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micron(镁光)
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VFBGA-200
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100+:￥60.93 30+:￥66.32 10+:￥72.5 1+:￥79.21 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - 移动 LPDDR4X |
| 存储容量 | 4Gb |
| 存储器组织 | 256M x 16 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 2.133 GHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 18ns |
| 访问时间 | 3.5 ns |
| 电压 - 供电 | 1.06V ~ 1.17V |
| 工作温度 | -30°C ~ 85°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 200-TFBGA |