MMST5551Q-7-F
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.189
17,038
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):160 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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MMST5551Q-7-F
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.189

1+:¥0.214

2750

22+
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MMST5551Q-7-F
Diodes(美台)
SOT-323

3000+:¥0.19656

1+:¥0.22256

2748

22+
1-2工作日发货
MMST5551Q-7-F
美台(DIODES)
SOT-323

30000+:¥0.2079

6000+:¥0.2245

3000+:¥0.2363

800+:¥0.3308

200+:¥0.4726

10+:¥0.7691

2750

-
MMST5551Q-7-F
DIODES(美台)
SOT-323

5000+:¥0.2601

1000+:¥0.2877

300+:¥0.3223

100+:¥0.3683

10+:¥0.4604

6040

-
立即发货
MMST5551Q-7-F
Diodes(达尔)
SOT-323

1500+:¥0.2782

200+:¥0.3185

110+:¥0.494

2750

-
3天-15天
MMST5551Q-7-F
Diodes(美台)
--

3000+:¥0.19656

1500+:¥0.22256

200+:¥0.2548

1+:¥0.3952

2750

--
1-3工作日
MMST5551Q-7-F
DIODES(美台)
SOT-323

60000+:¥0.2054

45000+:¥0.2065

3000+:¥0.2098

1500+:¥0.2375

200+:¥0.272

1+:¥0.4218

2750

22+
2-4工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 160 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 200 mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323