DZTA42Q-13
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.8
9,856
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):300 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DZTA42Q-13
DIODES(美台)
SOT223

2500+:¥0.8

1+:¥0.864

2453

23+
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DZTA42Q-13
Diodes(美台)
SOT-223

2500+:¥0.832

1+:¥0.89856

2450

23+
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DZTA42Q-13
美台(DIODES)
SOT-223

25000+:¥0.88

5000+:¥0.95

2500+:¥1.0

800+:¥1.4

200+:¥2.0

10+:¥3.255

2453

-
DZTA42Q-13
Diodes(达尔)
SOT-223-3

1250+:¥0.9504

100+:¥1.122

40+:¥1.452

2453

-
3天-15天
DZTA42Q-13
DIODES(美台)
SOT-223

30+:¥1.89

10+:¥2.14

1+:¥2.74

47

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 300 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 25 @ 1mA,10V
功率 - 最大值 1 W
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA