BCW66HQTA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.385
6,708
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):800 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):20nA
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BCW66HQTA
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.385

1+:¥0.412

1670

22+
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BCW66HQTA
Diodes(美台)
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3000+:¥0.4004

1+:¥0.42848

1668

22+
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BCW66HQTA
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.4235

6000+:¥0.4572

3000+:¥0.4813

800+:¥0.6738

200+:¥0.9626

10+:¥1.492

1670

-
BCW66HQTA
Diodes(达尔)
SOT-23-3

1500+:¥0.5356

200+:¥0.5889

70+:¥0.7227

1670

-
3天-15天
BCW66HQTA
DIODES(美台)
SOT-23

150+:¥0.6658

50+:¥0.675

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 800 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 700mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 20nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 250 @ 100mA,1V
功率 - 最大值 310 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3